Duela gutxi, lagun askok molibdenozko sputtering helburuen ezaugarriei buruz galdetu zuten.Industria elektronikoan, sputtering eraginkortasuna hobetzeko eta gordailatutako filmen kalitatea bermatzeko, zein dira molibdenozko sputtering helburuen ezaugarrietarako?Orain RSMko aditu teknikoek azalduko digute.
1. Garbitasuna
Garbitasun handia molibdenozko sputtering helburuaren oinarrizko ezaugarria da.Molibdenoaren xedearen garbitasuna zenbat eta handiagoa izan, orduan eta hobea izango da sputtered filmaren errendimendua.Orokorrean, molibdenozko sputtering helburuaren purutasuna % 99,95ekoa izan behar du gutxienez (masa-frakzioa, behean berdina).Hala ere, kristalezko substratuaren tamainaren etengabeko hobekuntzarekin LCD industrian, kablearen luzera luzatu behar da eta lerro zabalera meheagoa izan behar da.Filmaren uniformetasuna eta kablearen kalitatea bermatzeko, molibdenozko sputtering helburuaren garbitasuna ere handitu behar da.Hori dela eta, sputtered beira-substratuaren tamainaren eta erabilera-ingurunearen arabera, molibdeno-sputtering helburuaren purutasuna % 99,99 - % 99,999 edo are handiagoa izan behar da.
Molibdenozko sputtering helburua katodo iturri gisa erabiltzen da sputtering-ean.Solidoetan eta oxigenoan eta poroetan dauden ur-lurrunak dira metatutako filmen kutsadura-iturri nagusiak.Horrez gain, industria elektronikoan, metal alkalinoaren ioiak (Na, K) isolamendu-geruzan ioi mugikor bihurtzeko errazak direnez, jatorrizko gailuaren errendimendua murrizten da;Uranioa (U) eta titanioa (TI) bezalako elementuak α X izpiak askatuko dira, gailuen matxura biguna eraginez;Burdina eta nikel ioiek interfazearen isuria eragingo dute eta oxigeno-elementuen gehikuntza eragingo dute.Hori dela eta, molibdenozko sputtering helburua prestatzeko prozesuan, ezpurutasun-elementu horiek zorrotz kontrolatu behar dira helburuan duten edukia minimizatzeko.
2. Alearen tamaina eta tamainaren banaketa
Orokorrean, molibdenozko sputtering helburua egitura polikristalinoa da, eta alearen tamaina mikratik milimetrora izan daiteke.Emaitza esperimentalek erakusten dute ale fineko helburuaren sputtering-abiadura ale lodiaren helburua baino azkarragoa dela;Ale-tamaina diferentzia txikia duen helbururako, metatutako filmaren lodieraren banaketa ere uniformeagoa da.
3. Kristalaren orientazioa
Helburu-atomoak sputtering zehar atomoen antolamendu hurbilenaren norabidean sputtering errazak direnez sputtering zehar, sputtering tasa altuena lortzeko, sputtering-tasa maiz handitu egiten da helburuaren kristal-egitura aldatuz.Helburuaren kristalaren norabideak ere eragin handia du sputtered filmaren lodiera-uniformitatean.Hori dela eta, oso garrantzitsua da filmaren sputtering prozesurako kristal orientatutako xede-egitura jakin bat lortzea.
4. Dentsifikazioa
Sputtering estaldura prozesuan, dentsitate baxuko sputtering-helburua bonbardatzen denean, xedearen barne-poroetan dagoen gasa bat-batean askatzen da, eta, ondorioz, tamaina handiko xede-partikulak edo partikulak zipriztintzen dira, edo filmaren materiala bonbardatzen da. elektroi sekundarioek filma eratu ondoren, partikulen zipriztinak eraginez.Partikula horien itxurak filmaren kalitatea murriztuko du.Helburu solidoaren poroak murrizteko eta filmaren errendimendua hobetzeko, sputtering helburuak dentsitate handia izan behar du, oro har.Molibdenozko sputtering helbururako, bere dentsitate erlatiboa % 98 baino gehiago izan behar da.
5. Helburua eta txasisa lotzea
Orokorrean, molibdenozko sputtering helburua oxigenorik gabeko kobrea (edo aluminioa eta beste material batzuk) txasisarekin konektatu behar da sputtering aurretik, xedearen eta txasisaren eroankortasun termikoa ona izan dadin sputtering prozesuan.Lotu ondoren, ultrasoinuen ikuskapena egin behar da bien loturarik gabeko eremua % 2 baino txikiagoa dela ziurtatzeko, potentzia handiko sputtering-aren baldintzak betetzeko erori gabe.
Argitalpenaren ordua: 2022-07-19