Denok dakigunez, hutsean lurruntzea eta ioien sputtering hutsean erabiltzen dira normalean.Zein da lurrunketa estalduraren eta sputtering estalduraren artean?Ondoren, RSMko aditu teknikoek gurekin partekatuko dute.
Hutsean lurruntzeko estaldura lurrundu beharreko materiala tenperatura jakin batera berotzea da, erresistentzia-berokuntza edo elektroi-sorta eta laser bidezko bonbardaketa bidez, 10-2Pa baino gutxiagoko huts-maila duen ingurune batean, molekulen edo bibrazio-energia termikoa izan dadin. materialaren atomoek gainazaleko lotura-energia gainditzen dute, eta, beraz, molekula edo atomo kopuru handi bat lurrundu edo sublimatzen da, eta substratuan zuzenean hauspeatzen dute film bat sortzeko.Ioien sputtering estaldurak eremu elektrikoaren eraginpean gas isurketak sortutako ioi positiboen abiadura handiko mugimendua erabiltzen du xedea katodo gisa bonbardatzeko, helburuko atomoek edo molekulek ihes egin dezaten eta xaflatutako piezaren gainazalera hauspea dezaten. eskatutako filma.
Hutsean lurruntzeko estalduraren metodo erabiliena erresistentzia-berokuntza da, egitura sinplearen, kostu baxuko eta funtzionamendu erosoaren abantailak dituena;Desabantaila da ez dela egokia metal erregogorretarako eta tenperatura altuko material dielektrikoetarako.Elektroi izpien berotzeak eta laser bidezko berotzeak erresistentzia berotzearen gabeziak gaindi ditzakete.Elektroi izpiaren berokuntzan, elektroi izpi fokatua bonbardatutako materiala zuzenean berotzeko erabiltzen da, eta elektroi izpiaren energia zinetikoa bero energia bihurtzen da, eta horrek materiala lurrundu egiten du.Laser beroketak potentzia handiko laserra erabiltzen du berogailu gisa, baina potentzia handiko laserren kostu handia dela eta, ikerketa laborategi gutxi batzuetan soilik erabil daiteke.
Sputtering teknologia hutsean lurruntzeko teknologiaren desberdina da."Sputtering" partikula kargatuek gainazal solidoa (helburua) bonbardatzen duten eta atomo edo molekula solidoak gainazaletik jaurtitzen duten fenomenoari deritzo.Igorritako partikula gehienak egoera atomikoan daude, sarritan sputtered atomo deitzen zaiona.Helburua bonbardatzeko erabiltzen diren sputtered partikulak elektroiak, ioiak edo partikula neutroak izan daitezke.Beharrezko energia zinetikoa lortzeko ioiak eremu elektrikoaren azpian azeleratzen errazak direnez, gehienek ioiak erabiltzen dituzte bonbardatutako partikula gisa.Sputtering prozesua distira-deskargan oinarritzen da, hau da, sputtering ioiak gas-isurietatik datoz.Sputtering teknologia ezberdinek distira deskargatzeko modu desberdinak hartzen dituzte.DC diodoen sputtering DC distira deskarga erabiltzen du;Triodo sputtering katodo beroak onartzen duen distira deskarga bat da;RF sputtering-ak RF distira deskarga erabiltzen du;Magnetron sputtering eremu magnetiko anular batek kontrolatzen duen distira deskarga bat da.
Hutsean lurruntzeko estaldurarekin alderatuta, sputtering estaldurak abantaila asko ditu.Adibidez, edozein substantzia sputter daiteke, batez ere urtze-puntu altua eta lurrun-presio baxua duten elementuak eta konposatuak;Sputtered filmaren eta substratuaren arteko atxikimendua ona da;Film-dentsitate handia;Filmaren lodiera kontrolatu daiteke eta errepikakortasuna ona da.Desabantaila ekipamendua konplexua dela eta tentsio handiko gailuak behar dituela da.
Horrez gain, lurrunketa metodoaren eta sputtering metodoaren konbinazioa ioi-plakadura da.Metodo honen abantailak dira lortutako filmak atxikimendu handia duela substratuarekin, deposizio-tasa handia eta film dentsitate handia duela.
Argitalpenaren ordua: 2022-07-20