Denok dakigunez, hutsean estalduran erabili ohi diren metodoak hutseko transpirazioa eta ioien sputtering dira.Zein da transpirazio estalduraren eta sputtering estalduraren artean Askojendea izan horrelako galderak.Partekatu dezagun zurekin transpirazio estalduraren eta sputtering estalduraren arteko aldea
Hutseko transpirazio-filma transpirazioko datuak tenperatura finko batera berotzea da, erresistentzia berotzearen edo elektroi-izpiaren eta laser-estalduraren bidez, 10-2Pa baino gutxiagoko huts-maila duen ingurune batean, molekulen edo bibrazio-energia termikoa izan dadin. Datuetan atomoek gainazaleko lotura-energia gainditzen dute, eta, beraz, molekula edo atomo asko transpiratzen edo handitzen dira, eta zuzenean substratuan jartzen dituzte film bat osatzeko.Ioien sputtering estaldurak eremu elektrikoaren eraginpean gas isurketak sortutako ioi positiboen mugimendu handia erabiltzen du helburua katodo gisa bonbardatzeko, helburuko atomoek edo molekulek ihes egin dezaten eta plakatutako piezaren gainazalean uzteko. eskatutako filma.
Hutsean transpirazio estalduraren metodorik erabiliena erresistentzia berotzeko metodoa da.Bere abantailak berogailu iturriaren egitura sinplea, kostu baxua eta funtzionamendu erosoa dira.Bere desabantailak dira ez dela egokia metal erregogorretarako eta tenperatura altuko euskarri erresistenteetarako.Elektroi izpien berotzeak eta laser bidezko berotzeak erresistentzia berotzearen desabantailak gaindi ditzakete.Elektroi-izpiaren berokuntzan, elektroi-sorta fokatua erabiltzen da shelled datuak zuzenean berotzeko, eta elektroi-izpiaren energia zinetikoa bero-energia bihurtzen da datuen transpirazioa egiteko.Laser beroketak potentzia handiko laserra erabiltzen du berogailu iturri gisa, baina potentzia handiko laserren kostu altua dela eta, ikerketa laborategi kopuru txiki batean soilik erabil daiteke.
Sputtering trebetasuna hutsean transpirazio trebetasunetik desberdina da.Sputtering partikula kargatuek gorputzaren gainazalera (helburua) bonbardatzen duten fenomenoari deritzo, atomo edo molekula solidoak gainazaletik igortzen direla.Igorritako partikula gehienak atomikoak dira, hau da, sarritan sputted atomo deitzen zaio.Helburuak jaurtitzeko erabiltzen diren sputtered partikulak elektroiak, ioiak edo partikula neutroak izan daitezke.Ioiak eremu elektrikoan beharrezkoa den energia zinetikoa lortzeko errazak direnez, ioiak gehienbat oskoletarako partikula gisa hautatzen dira.
Sputtering-prozesua distira-deskargan oinarritzen da, hau da, sputtering ioiak gas-isuritik datoz.Sputtering trebetasun desberdinek distira deskargatzeko metodo desberdinak dituzte.DC diodoen sputtering DC distira deskarga erabiltzen du;Triodo sputtering katodo beroak onartzen duen distira deskarga bat da;RF sputtering-ak RF distira deskarga erabiltzen du;Magnetron sputtering eremu magnetiko anular batek kontrolatzen duen distira deskarga bat da.
Hutseko transpirazio estaldurarekin alderatuta, sputtering estaldurak abantaila asko ditu.Substantziaren bat sputter badaiteke, batez ere urtze-puntu altua eta lurrun-presio baxua duten elementuak eta konposatuak;Sputtered filmaren eta substratuaren arteko atxikimendua ona da;Film-dentsitate handia;Filmaren lodiera kontrolatu daiteke eta errepikakortasuna ona da.Desabantaila ekipamendua konplexua dela eta tentsio handiko gailuak behar dituela da.
Gainera, transpirazio metodoaren eta sputtering metodoaren konbinazioa ioi-plakadura da.Metodo honen abantailak filmaren eta substratuaren arteko atxikimendu handia, deposizio-tasa handia eta filmaren dentsitate handia dira.
Argitalpenaren ordua: 2022-09-05