Silizioan oinarritutako fotonika gaur egun txertatutako komunikazioetarako hurrengo belaunaldiko fotonika plataformatzat hartzen da.Hala ere, potentzia baxuko modulatzaile optiko trinkoen garapenak erronka izaten jarraitzen du.Hemen Ge/SiGe akoplatutako putzu kuantikoetan efektu elektro-optiko erraldoi baten berri ematen dugu.Efektu itxaropentsu hau Stark efektu kuantiko anomalian oinarritzen da Ge/SiGe putzu kuantiko akoplatuetan elektroien eta zuloen konfinamendu bereiziagatik.Fenomeno hau argi-modulatzaileen errendimendua nabarmen hobetzeko erabil daiteke silizio fotonikan orain arte garatu diren planteamendu estandarrekin alderatuta.Errefrakzio-indizearen aldaketak neurtu ditugu 2,3 × 10-3 arte, 1,5 V-ko polarizazio-tentsioarekin, 0,046 Vcm-ko VπLπ modulazio-eraginkortasunarekin.Erakusketa honek Ge/SiGe material sistemetan oinarritutako abiadura handiko fase-moduladore eraginkorrak garatzeko bidea ematen du.
Argitalpenaren ordua: 2023-06-06