Hutsean estaldura lurrunketa-iturria hutsean edo sputtering berotzeari eta ioi-bonbardaketa azeleratuarekin lurruntzeari eta substratuaren gainazalean uzteari egiten zaio erreferentzia, geruza bakarreko edo geruza anitzeko film bat osatzeko.Zein da hutsean estaltzearen printzipioa?Jarraian, RSMko editoreak aurkeztuko digu.
1. Hutsean lurruntzeko estaldura
Lurruntze-estaldurak lurruntze-iturritik lurrun-molekulen edo atomoen eta estali behar den substratuaren arteko distantzia estaldura-gelan hondar-molekulen batez besteko askea baino txikiagoa izan behar du, horrela bermatzeko. lurrunketa substratuaren gainazalera talkarik gabe irits daiteke.Ziurtatu filma purua eta irmoa dela, eta lurrunketa ez dela oxidatuko.
2. Hutsean sputtering estaldura
Hutsean, ioi azeleratuak solidoarekin talka egiten dutenean, alde batetik, kristala hondatzen da, bestetik, kristala osatzen duten atomoekin talka egiten dute, eta azkenik, solidoaren gainazaleko atomo edo molekulek. kanpora bota.Sputtered materiala substratuan xaflatzen da film mehe bat osatzeko, hutsean sputter plaka deritzona.Sputtering metodo asko daude, eta horien artean diodoen sputtering da goiztiarrena.Katodo helburu desberdinen arabera, korronte zuzena (DC) eta maiztasun handiko (RF) bana daiteke.Helburuko gainazalean ioi batekin kolpatzean sputtering atomo kopuruari sputtering tasa deritzo.Sputtering tasa altuarekin, filma eratzeko abiadura azkarra da.Sputtering-abiadura energia eta ioien motarekin eta xede-material motarekin erlazionatuta dago.Oro har, sputtering-abiadura handitzen da giza ioien energia handitzen den heinean, eta metal preziatuen sputtering-tasa handiagoa da.
Argitalpenaren ordua: 2022-07-14