Helburuak funtzio asko eta aplikazio zabalak ditu arlo askotan.Sputtering ekipamendu berriak ia iman indartsuak erabiltzen ditu elektroiak espiratzeko argonaren ionizazioa bizkortzeko helburuaren inguruan, eta horrek helburuaren eta argon ioien arteko talka egiteko probabilitatea handitzen du.
Sputtering tasa handitu.Orokorrean, DC sputtering metalezko estaldurarako erabiltzen da, RF komunikazio sputtering material magnetiko zeramikazko eroale ez-eroaleetarako erabiltzen den bitartean.Oinarrizko printzipioa distira-deskarga erabiltzea xedearen gainazalean argon (AR) ioiak hutsean jotzeko erabiltzea da, eta plasmako katioiak bizkortuko dira elektrodo negatiboko gainazalera zipriztindutako material gisa.Inpaktu horrek xedearen materiala hegan egingo du eta substratuan metatuko du film bat osatzeko.
Oro har, sputtering prozesua erabiliz film estalduraren hainbat ezaugarri daude:
(1) Metala, aleazioa edo isolatzailea film meheko datuak bihur daitezke.
(2) Ezarpen-baldintza egokietan, konposizio bereko filma helburu anitz eta desordenatuetatik egin daiteke.
(3) Helburuko materialaren eta gas molekulen nahasketa edo konposatua isurketa-atmosferan oxigenoa edo beste gas aktibo batzuk gehituz egin daiteke.
(4) Helburuko sarrerako korrontea eta sputtering denbora kontrola daitezke, eta erraza da doitasun handiko filmaren lodiera lortzea.
(5) Onuragarria da beste film batzuen ekoizpenerako.
(6) Sputtered partikulek ez dute ia grabitateak eragiten, eta helburua eta substratua libreki antola daitezke.
Argitalpenaren ordua: 2022-05-24