Estalitako xedearen film mehea material forma berezi bat da.Lodieraren norabide zehatzean, eskala oso txikia da, hau da, kantitate mikroskopiko neurgarria.Horrez gain, pelikularen lodieraren itxura eta interfazea dela eta, materialaren jarraitutasuna amaitzen da, eta horrek filmaren datuek eta helburuko datuek propietate komun desberdinak dituzte. Eta helburua, batez ere, magnetron sputtering estaldura erabiltzea da, Beijing Richmat-en editoreak ulertzera eramango gaitu. sputtering estalduraren printzipioa eta trebetasunak.
一、Sputtering estalduraren printzipioa
Sputtering estaldura trebetasuna ioi-eskolaren xede-itxura erabiltzea da, xede-atomoak sputtering izenez ezagutzen den fenomenotik ateratzen dira.Substratuaren gainazalean metatzen diren atomoei sputtering estaldura deitzen zaie. Orokorrean, gasaren ionizazioa gas-isuriz sortzen da, eta ioi positiboek katodoaren helburua abiadura handian jaurtitzen dute eremu elektrikoaren eraginez, atomo edo molekulak kanporatuz. katodoaren helburua, eta film batean metatu beharreko substratuaren gainazalera hegan egitea. Besterik gabe, sputtering estaldurak presio baxuko gas geldoaren isurketa erabiltzen du ioiak sortzeko.
Oro har, sputtering film plaka ekipoak bi elektrodoz hornituta daude hutsean deskargatzeko ganbera batean, eta katodoaren helburua estaldura datuez osatuta dago.Hutseko ganbera 0,1 ~ 10Pa-ko presioa duen argon gasez betetzen da.Distira-deskarga katodoan gertatzen da 1 ~ 3kV dc edo 13.56mhz-ko rf tentsio negatiboaren eraginpean. Argon ioiak xede-azalera bonbardatzen ditu eta sputtered xede-atomoak substratuan pilatzea eragiten du.
二、Sputtering estaldura trebetasun ezaugarriak
1、Pilatze abiadura azkarra
Abiadura handiko magnetron sputtering elektrodoaren eta bi etapa sputtering elektrodo tradizionalaren arteko aldea da imana xedearen azpian kokatuta dagoela, beraz eremu magnetiko irregularre itxia xedearen gainazalean gertatzen da. Elektroien lorentz indarra erdialderantz dago. eremu magnetiko heterogeneoarena.Fokatze-efektua dela eta, elektroiek gutxiago ihes egiten dute.Eremu magnetiko heterogeneoa xede gainazalaren inguruan doa, eta eremu magnetiko heterogeneoan harrapatutako bigarren mailako elektroiek gas molekulen kontra talka egiten dute behin eta berriz, eta horrek gas molekulen bihurtze-tasa altua hobetzen du. Hori dela eta, abiadura handiko magnetron sputtering-ak potentzia txikia kontsumitzen du, baina estaldura-eraginkortasun handia lor dezake, isurketa-ezaugarri ezin hobeekin.
2、Sustratuaren tenperatura baxua da
Abiadura handiko magnetron sputtering, tenperatura baxuko sputtering bezala ere ezaguna.Arrazoia da gailuak elkarren artean zuzen dauden eremu elektromagnetikoen espazio batean deskargak erabiltzen dituela.Helburuaren kanpoaldean, elkarren baitan, gertatzen diren elektroi sekundarioak.Eremu elektromagnetiko zuzen baten eraginez, xedearen gainazaletik gertu lotzen da eta pistan zehar higidura-lerro zirkular batean mugitzen da, behin eta berriz gas-molekulen kontra kolpatuz gas-molekulak ionizatzeko. Elkarrekin, elektroiek beren energia galtzen dute pixkanaka, bidez. behin eta berriz kolpeak, haien energia ia erabat galdu arte substratutik gertu dagoen xedearen gainazaletik ihes egin baino lehen.Elektroien energia oso baxua denez, helburuaren tenperatura ez da gehiegi igotzen.Hori nahikoa da diodo arrunt baten jaurtiketa elektroien energia handiko bonbardaketak eragindako substratuaren tenperatura igoerari aurre egiteko, kriogenizazioa amaitzen duena.
3、Mintz-egituren sorta zabala
Hutsean lurruntzearen eta injekzio-deposizioaren bidez lortutako film meheen egitura nahiko ezberdina da ontziratu gabeko solidoen mehetzearen ondorioz lortzen denaren egitura.Orokorrean dauden solidoen aldean, funtsean hiru dimentsiotan egitura bera bezala sailkatzen diren, gas fasean metatutako filmak egitura heterogeneo gisa sailkatzen dira. Film meheak zutabeak dira eta eskaneatu mikroskopia elektronikoaren bidez iker daitezke.Filmaren zutabe-hazkundea substratuaren jatorrizko gainazal ganbilak eta substratuaren zati nabarmenetan itzal gutxi batzuek eragiten dute.Hala ere, zutabearen forma eta tamaina nahiko desberdinak dira substratuaren tenperaturagatik, metatutako atomoen gainazaleko sakabanaketagatik, ezpurutasun-atomoen lurperatzeagatik eta intzidentzia-atomoen angelua substratuaren gainazalearekiko.Gehiegizko tenperatura tartean, film meheak zuntz-egitura du, dentsitate handikoa, zutabe-kristal finez osatua, hau da, sputtering filmaren egitura berezia.
Sputtering-presioak eta filmak pilatzeko abiadurak filmaren egiturari ere eragiten diote.Gas molekulek substratuaren gainazalean atomoen sakabanaketa kentzeko eragina dutenez, sputtering presio altuaren eragina ereduan substratuaren tenperatura jaitsierari dagokio.Hori dela eta, ale finak dituzten film porotsuak lor daitezke sputtering-presio handian.Ale-tamaina txikiko film hau lubrifikaziorako, higadurarako erresistentziarako, gainazala gogortzeko eta beste aplikazio mekanikoetarako egokia da.
4, Antolatu konposizioa uniformeki
Konposatuak, nahasketak, aleazioak, etab., hutsean lurruntzearen bidez estaltzeko nahiko zailak diren osagaien lurrun-presioak desberdinak direlako edo berotzean bereizten direlako. Sputtering estaldura metodoa atomoen xede-azalera geruza geruzaz geruza egitea da. substratuari, zentzu honetan filma egiteko trebetasun perfektuagoa da.Material mota guztiak erabil daitezke estaldura industrialaren ekoizpenean sputtering bidez.
Argitalpenaren ordua: 2022-04-29