Magnetron sputtering estaldura lurrun fisikoaren estaldura metodo berria da, aurreko lurrunketa estaldura metodoarekin alderatuta, alderdi askotan dituen abantailak nahiko nabarmenak dira.Teknologia heldua denez, magnetron sputtering eremu askotan aplikatu da.
Magnetron sputtering printzipioa:
Eremu magnetiko ortogonala eta eremu elektrikoa gehitzen dira sputtered xede-poloaren (katodoaren) eta anodoaren artean, eta behar den gas geldoa (normalean Ar gasa) huts handiko ganbaran betetzen da.Iman iraunkorrak 250-350 gaus eremu magnetikoa osatzen du xede-materialaren gainazalean, eta eremu elektromagnetiko ortogonala tentsio handiko eremu elektrikoarekin osatuta dago.Eremu elektrikoaren eraginez, Ar gasaren ionizazioa ioi positiboetan eta elektroietan, helburu eta presio negatibo jakin bat du, polotik helburutik eremu magnetikoaren eraginez eta laneko gasaren ionizazio probabilitatea handituz, dentsitate handiko plasma bat osatzen dute. katodoa, Ar ioia lorentz indarraren eraginpean, bizkortu xede gainazalera hegan egiteko, helburuaren gainazala abiadura handian bonbardatzen du, Helburuan sputtered atomoek momentua bihurtzearen printzipioa jarraitzen dute eta helburuko gainazaletik urruntzen dira zinetiko handiarekin. energia substratuaren deposizio-filmari.
Magnetron sputtering orokorrean bi motatan banatzen da: DC sputtering eta RF sputtering.DC sputtering ekipoaren printzipioa sinplea da, eta tasa azkarra da metala sputtering denean.RF sputtering erabilera zabalagoa da, material eroaleak sputtering gain, baina baita material ez-eroaleak sputtering, baina baita oxido, nitruro eta karburo eta beste material konposatuen sputtering erreaktiboa prestatzeko.RF maiztasuna handitzen bada, mikrouhinen plasma sputtering bihurtzen da.Gaur egun, elektroi ziklotroi erresonantzia (ECR) motako mikrouhinen plasma sputtering erabiltzen da normalean.
Magnetron sputtering estaldura xede-materiala:
Metalezko sputtering xede-materiala, estaldura-aleaziozko estaldura-materiala, zeramikazko sputter-estaldura-materiala, boruro zeramikazko sputtering xede-materialak, karburo zeramikazko sputtering xede-materiala, fluoruro zeramikazko sputtering xede-materiala, nitruro zeramikazko sputtering xede-materialak, oxido zeramikazko helburua, seleniuro zeramikazko sputtering xede-materiala, siliziozko zeramikazko sputtering xede-materialak, sulfuro zeramikazko sputtering xede-materiala, Telluride zeramikazko sputtering helburua, beste helburu zeramikazkoak, kromo-dopatutako silizio oxidozko zeramikazko helburua (CR-SiO), indio fosfuroaren helburua (InP), berun arseniuroaren helburua (PbAs), indio arseniuroa xede (InAs).
Argitalpenaren ordua: 2022-03-03